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650v7a的场效应管RSU7N65D(参数 代换 规格书)

RSU7N65D,简称7N65场效应管,是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道多层外延超结MOS,漏源电压Vds:650V,漏极电流Id Tc=25℃:7A,典型导通内阻为560mΩ,TO252封装,丝印RSU7N65D,广泛用于开关电源、汽车电子、工业控制,高压H桥PWM马达驱动等。

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RSU7N65D,简称7N65场效应管,是我司代理瑞森半导体的一款高压N沟道多层外延超结MOS,漏源电压Vds:650V,漏极电流Id Tc=25℃:7A,典型导通内阻为560mΩ,TO252封装,丝印RSU7N65D,广泛用于开关电源、汽车电子、工业控制,高压H桥PWM马达驱动等。

7N65场场效应管RSU7N65D极限参数值;

7N65场场效应管RSU7N65D极限参数值

7N65用什么代换?

如果您正在寻找与7n65具有相似特性的场效应管进行替代,建议您参考同一系列或同一参数范围内的其他型号,一些可能的替代型号可能是在相同系列中的其他型号,如7n60、7n75、7n80等。您可以参考供应商或制造商提供的数据手册,以获取更多关于这些替代型号的详细信息,并确保它们符合您的具体应用需求。

650v7a的场效应管RSU7N65D规格书资料;

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