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原边PWM控制芯片;
·九游·产品型号 封装 工作模式 VDD范围 待机功耗 最高工作频率 能效标准 内置MOS
Rdson(Ω)
内置MOS
Bvdss(V)
输出功率范围(W)
S7132BSOP7DCM5V~22V<75mW<75K六级能效0.8A BJT850V<5W
S7132SSOP7DCM5V~22V<75mW<75K六级能效0.8A BJT850V<5W
S7142AAASOP7DCM4V~5.5V<75mW<75K六级能效0.8A BJT850V<5W
S7133BSOP7DCM5V~22V<75mW<75K六级能效2A BJT750V<10W
S7133SSOP7DCM5V~22V<75mW<75K六级能效2A BJT750V<10W
S7134BSOP7DCM5V~22V<75mW<75K六级能效3A BJT750V<12W
BP8304DSOP8BCM8V~35V<75mW<75K六级能效2.2 ohm650V<12W
BP8305DSOP8BCM8V~35V<75mW<75K六级能效1.8 ohm650V<18W
副边PWM控制芯片型号;
芯片型号 封装 工作模式 VDD范围 待机功耗 最大工作频率 能效标准 内置MOS
Rdson(Ω)
内置MOS
Bvdss(V)
输出功率范围(W)
BP8705DSOP8DCM/CCM8V~35V<75mW<65K六级能效1.8650<18W
BP8706DSOP8DCM/CCM8V~35V<75mW<65K六级能效1.1650<24W
BP8708DSOP8DCM/CCM8V~35V<75mW<65K六级能效0.8650<27W
BP8205VBSOP10DCM/CCM8V~35V<75mW<65K六级能效4A BJT750<18W
BP8715DSOP8DCM/CCM/QR8V~70V<75mW<75K六级能效1.8650<18W
BP8718DSOP8DCM/CCM/QR8V~70V<75mW<75K六级能效0.8650<27W
BP8719NSOT23-6DCM/CCM/QR8V~70V<75mW<75K六级能效--<65W
同步整流控制芯片选型;
IC型号 封装 应用拓扑 工作模式 VDD范围 检测脚最大耐压 最大工作频率 内置MOS
Rdson(Ω)
内置MOS
Bvdss(V)
输出功率范围(W)
S7302SOP8Low SideDCM/QR3V~6VN<100K18mohm40V<12W
BP6216FDSOP8High &Low SideDCM/CCM/QR4V~9V<120V<250K13mohm60V<18W
BP6216KDSOP8High &Low SideDCM/CCM/QR4V~9V<120V<250K10mohm60V<20W
BP621AKDSOP8High &Low SideDCM/CCM/QR4V~9V<120V<250K10mohm100V<24W
BP6219NSOT23-6High &Low SideDCM/CCM/QR4V~9V<120V<250K---
远翔充电管理芯片;
IC型号 封装VDD(V)IBAT(A)ISHD(μA) OSZ(Hz)VFLAOT(V) OCPSCPUVLOTSD工作温度(℃)
FP8101SOT-23-5/64~5.50.5-<75K4.2-40~+85
FP8102SO-8(EP)4~5.51-<75K4.2-40~+85
FP8103SO-8(EP)4~5.51-<75K4.3-40~+85
FP8202SOP-84~5.52600K<75K4.2-40~+85
FP8208SOP-84~5.53.5720K<75K4.2-40~+85
FP8203SO-8(EP),DFN-10(EP)4~5.52600K<75K4.3-40~+85
FP8207TSSOP-14L(EP)4.6~183600K<75K4.2~12.6可调-40~+85